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Edmund 45° AOI 高性能薄膜激光偏振片

簡(jiǎn)要描述:Edmund 45° AOI 高性能薄膜激光偏振片在激光級(jí) UV 熔融石英基片上運(yùn)用薄膜涂鍍技術(shù),以便在 800nm 或 1030nm 處達(dá)到優(yōu)良性能。在入射角為 45° 時(shí),這些偏振片上的離子束濺射 (IBS) 鍍膜可對(duì) s 偏振提供超過 99.8% 的反射率,對(duì) p 偏振提供超過 98% 的透射率。

  • 產(chǎn)品品牌:其他品牌
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2021-03-08
  • 訪  問  量:880

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品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子

Edmund 45° AOI 高性能薄膜激光偏振片

Ø已針對(duì) 45° AOI 的 S 偏振和 P 偏振分離進(jìn)行優(yōu)化

Ø在 DWL 具有 1000:1 的高消光比

Ø專為 800nm 或 1030nm 激光而設(shè)計(jì)

Edmund 45° AOI 高性能薄膜激光偏振片在激光級(jí) UV 熔融石英基片上運(yùn)用薄膜涂鍍技術(shù),以便在 800nm 或 1030nm 處達(dá)到優(yōu)良性能。在入射角為 45° 時(shí),這些偏振片上的離子束濺射 (IBS) 鍍膜可對(duì) s 偏振提供超過 99.8% 的反射率,對(duì) p 偏振提供超過 98% 的透射率。TECHSPEC 45° AOI 高性能薄膜激光偏振片非常適合搭配使用 800nm 或 1030nm 激光,以便對(duì) s 偏振與 p 偏振激光進(jìn)行分離或合并。若您的應(yīng)用需要使用定制尺寸或鍍膜的 45° AOI 高性能薄膜激光偏振片,請(qǐng)聯(lián)系我們。

注意:這些光學(xué)元件邊緣上的箭頭指向薄膜偏振片鍍膜。

 

對(duì)于許多光學(xué)應(yīng)用而言,了解和操縱光的偏振至關(guān)重要。 光學(xué)設(shè)計(jì)經(jīng)常關(guān)注光的波長(zhǎng)和強(qiáng)度,而忽略其偏振。 然而,偏振是光的重要屬性,甚至影響那些未明確測(cè)量光的光學(xué)系統(tǒng)。 光的偏振會(huì)影響激光束的聚焦,影響濾光片的截止波長(zhǎng),并且對(duì)于防止有害的反向反射可能非常重要。 對(duì)于許多計(jì)量學(xué)應(yīng)用來說,它是*的,例如玻璃或塑料中的應(yīng)力分析,藥物成分分析和生物顯微鏡。 材料還可以不同程度地吸收不同的偏振光,這是LCD屏幕,3D電影和減少眩光的太陽(yáng)鏡的基本屬性。

光是電磁波,并且該波的電場(chǎng)垂直于傳播方向振蕩。 如果該電場(chǎng)的方向隨時(shí)間隨機(jī)波動(dòng),則稱該光為非偏振光。 陽(yáng)光,鹵素?zé)簦?span>LED聚光燈和白熾燈泡等許多常見光源都會(huì)產(chǎn)生非偏振光。

通用規(guī)格

消光比:

1000:1

表面質(zhì)量:

10-5

有效孔徑 (%):

85

厚度 (mm):

3.00 ±0.10

平行度(弧分):

<3

入射角 (°):

45 ±1

涂層:

Thin Film Dielectric

傳輸波前,P-V (λ):

λ/10 @ 633nm

基底:

Fused Silica

  

 

類型

DWL(nm)

Dia.(mm)

涂層

涂層規(guī)格

產(chǎn)品編碼

Linear Polarizer

800

12.70

Thin Film Dielectric

S1: Rs
>99.8% @ 800nm, Tp
>98% @ 800nm
S2: Rp
<0.1% @ 800nm

#13-054

Linear Polarizer

1030

12.70

Thin Film Dielectric

S1: Rs
>99.8% @ 1030nm, Tp
>98% @ 1030nm
S2: Rp
<0.1% @ 1030nm

#13-055

Linear Polarizer

800

25.40

Thin Film Dielectric

S1: Rs
>99.8% @ 800nm, Tp
>98% @ 800nm
S2: Rp
<0.1% @ 800nm

#12-993

Linear Polarizer

1030

25.40

Thin Film Dielectric

S1: Rs
>99.8% @ 1030nm, Tp
>98% @ 1030nm
S2: Rp
<0.1% @ 1030nm

#12-992

技術(shù)數(shù)據(jù)


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